Počet záznamů: 1
Edge spin accumulation in semiconductor two-dimensional hole gases
- 1.
SYSNO ASEP 0030256 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Edge spin accumulation in semiconductor two-dimensional hole gases Překlad názvu Akumulace spínu na hranách dvojrozměrného děrového plynu Tvůrce(i) Nomura, K. (US)
Wunderlich, J. (GB)
Sinova, J. (US)
Kaestner, B. (GB)
MacDonald, A. H. (US)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 72, č. 24 (2005), 245330/1-245330/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova spin Hall effect ; spintronics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace We show that spin polarisation near the edge of a two-dimensional hole system by the intrinsic spin Hall effect becomes larher and more localized as the spin-orbit coupling increases Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2006
Počet záznamů: 1