Počet záznamů: 1

Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers

SYSNO ASEP	0021048
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers
Překlad názvu	Vliv vzácných zemin na vlastnosti vrstev na bázi InP
Tvůrce(i)	Procházková, Olga (URE-Y) Grym, Jan (URE-Y) Zavadil, Jiří (URE-Y)_RID Žďánský, Karel (URE-Y) Kopecká, M. (CZ)
Zdroj.dok.	ChemZi - ISSN 1336-7242 Roč. 1, č. 1 (2005), s. 187-187
Poč.str.	1 s.
Akce	Zjazd chemických spoločností /57./
Datum konání	04.09.2005-08.09.2005
Místo konání	Tatranské Matliare
Země	SK - Slovensko
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	SK - Slovensko
Klíč. slova	epitaxial growth ; semiconductors ; rare earth compounds
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP	GA102/03/0379 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
Anotace	The addition of all studied rare earth elements (Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb a Lu) leads to the reduction of structural defect densities by one and a half order of magnitude and undesirable electrically active impurities were reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra confirmed the high purity and structural quality of grown InP layers. The addition of Ce and Yb leads to the introduction into the host lattice.
Pracoviště	Ústav fotoniky a elektroniky
Kontakt	Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
Rok sběru	2006

Počet záznamů: 1