Počet záznamů: 1

Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode

SYSNO ASEP	0000388
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode
Překlad názvu	Charakterizace InAs/AlSb dvojite tunelove barierove heterostruktury
Tvůrce(i)	Vaniš, Jan (URE-Y)_RID Chow, D. H. (US) Šroubek, Filip (URE-Y) McGill, T. C. M. (US) Walachová, Jarmila (URE-Y)
Zdroj.dok.	Physica Status Solidi C : Conferences and critical reviews - ISSN 1610-1634 Roč. 2, č. 4 (2005), s. 1444-1448
Poč.str.	5 s.
Akce	EXMATEC 2004 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /7./
Datum konání	01.06.2004-04.06.2004
Místo konání	Montpellier
Země	FR - Francie
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	scanning tunnelling microscopy ; ballistic transport ; semiconductor heterojunctions
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd
Anotace	Spectroscopic measurements are done in the reverse voltage bias polarity (Auger condition) on the tunneling double barrier heterostructure with the well thickness of 12 nm and the symmetric barrier thickness of 2 nm. Spectroscopic results in the voltage range of -0.1 V to -1.4 V are presented. The observed intensity of the measured ballistic current is much higher than it is expected from the theory and earlier published measurements. The description of these processes is presented.
Pracoviště	Ústav fotoniky a elektroniky
Kontakt	Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
Rok sběru	2005

Počet záznamů: 1