Počet záznamů: 1
Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou
- 1.Sháněl, O. - Schneider, M. - Řiháček, Tomáš - Radlička, Tomáš
Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou.
[Si3Nx phase plates covered by conductive layer.]
Interní kód: APL-2022-15 ; 2022
Technické parametry: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu.
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D.
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
https://hdl.handle.net/11104/0337734
Počet záznamů: 1