Počet záznamů: 1
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
- 1.Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 36, č. 7 (2021), č. článku 075016. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.048, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
http://hdl.handle.net/11104/0320728
Počet záznamů: 1