Počet záznamů: 1
Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications
- 1.0496205 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Dominec, Filip - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hájek, František - Vaněk, Tomáš - Jarý, Vítězslav
Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications.
Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 256-256.
[International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN * MQW structure * scintillator
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289031
Počet záznamů: 1