Počet záznamů: 1  

MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm

  1. 1.
    0448593 - FZU-D 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
    MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. ISSN 0022-0248
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠk(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.462, rok: 2015

    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0250242