Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes

0395132 - ÚFE 2014 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 28, č. 5 (2013). ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA MŠMT LD12014
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Gallium nitride * Schottky barrier diodes * Graphite
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.206, rok: 2013

Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0223260