Počet záznamů: 1
Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles
- 1.0368040 - ÚFE 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel
Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles.
Nanoscale Research Letters. Roč. 6, č. 490 (2011), s. 4901-49010. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202511
Počet záznamů: 1