Počet záznamů: 1
Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks
- 1.0335443 - ÚMCH 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Mikolajczyk, M. - Toman, Petr - Bartkowiak, W.
Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks.
[Teoretické modelování vlivu strukturní neuspořádanosti na pohyblivost nosičů náboje ve sloupcích trifenylenu.]
Chemical Physics Letters. Roč. 485, 1-3 (2010), s. 253-257. ISSN 0009-2614. E-ISSN 1873-4448
Grant CEP: GA MŠMT MEB050815; GA AV ČR IAA401770601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: triphenylene * charge carrier mobility * tight-binding approximation
Kód oboru RIV: CD - Makromolekulární chemie
Impakt faktor: 2.282, rok: 2010
The tight-binding Hamiltonian is used to describe the charge carrier transport in a stack of triphenylene molecules. The influence of different levels of structural disorder on the on-stack charge carrier mobility is discussed. Structural disorder simulation considers three geometrical parameters: the distance between molecular planes, the twist angle around molecule symmetry axis, and the lateral slide in the direction perpendicular to the stack axis. The calculated values of the charge carrier mobility are compared with experimental data.
Transport náboje podél sloupců trifenylenu je popsán kvantově mechanicky pomocí těsnovazebného Hamiltoniánu. Řešením Schrödingerovy rovnice je určena pohyblivost nosičů náboje v závislosti na velikosti strukturní neuspořádanosti molekul ve sloupcích. Prezentovaný model uvažuje tři typy geometrických parametrů: vzdálenost mezi molekulárními rovinami, torzní úhly kolem molekulární osy symetrie a příčný posuv molekul ve směru kolmém na osu sloupce. Spočtené hodnoty pohyblivosti nosičů náboje jsou srovnatelné s experimentálními daty.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005639
Počet záznamů: 1