Počet záznamů: 1
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD
- 1.0484348 - FZÚ 2018 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD.
Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8, č. článku 025502. E-ISSN 2053-1591
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.151, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279501
Počet záznamů: 1