Počet záznamů: 1
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
- 1.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666
Počet záznamů: 1