Počet záznamů: 1
Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation
- 1.0346873 - ÚJF 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Lavrentev, Vasyl - Vacík, Jiří - Vorlíček, Vladimír - Voseček, Václav
Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation.
Physica Status Solidi B. Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951.
[8th International Conference on Optics of Surfaces and Interfaces (OSI-VIII). Ischia, 07.09.2009-11.09.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA200480702; GA AV ČR IAA400100701; GA AV ČR(CZ) KAN400480701; GA ČR GA106/09/1264
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: ion implantation * Raman spectra * Rutherford backscattering spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.344, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187786
Počet záznamů: 1