Počet záznamů: 1
High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films
SYS 0522073 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103223724.9 017 $2 DOI 100 $a 20200212d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a DE 200 1-
$a High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0522071 $1 200 1 $a Book of Abstracts of IWEPNM 2019 $v S. 37-37 $1 210 $a Berlin $c Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik $d 2019 $1 702 1 $a Machón $b M. $4 340 610 $a PIN diodes 610 $a hydrogenated silicon carbide 610 $a boron doped diamond 700 -1
$3 cav_un_auth*0100534 $a Stuchlíková $b The-Ha $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100485 $a Remeš $b Zdeněk $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0302391 $a Mortet $b Vincent $p FZU-D $i Funkční materiály $j Functional Materials $w Functional Metal Materials and Thin Films $y FR $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285329 $a Ashcheulov $b Petr $p FZU-D $i Funkční materiály $j Functional Materials $w Functional Metal Materials and Thin Films $y RU $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0339726 $a Krivyakin $b G.K. $y RU 701 -1
$3 cav_un_auth*0250322 $a Volodin $b V. $y RU 701 -1
$3 cav_un_auth*0100533 $a Stuchlík $b Jiří $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u https://www.iwepnm.org/fileadmin/user_upload/IWEPNM2019-Abstractbook.pdf
Počet záznamů: 1