Počet záznamů: 1
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
SYS 0502374 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103221718.7 017 $2 DOI 100 $a 20190307d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure 215 $a 4 s. $c E 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0502376 $1 010 $a 978-80-01-06511-2 $1 200 1 $a Proceedings of the 8th Student scientific conference of solid state engineering and materials $v S. 42-45 $1 210 $a Praha $c České vysoké učení technické v Praze $d 2018 $1 702 1 $4 340 $a Dragounová $b K. $1 702 1 $4 340 $a Koubský $b T. $1 702 1 $4 340 $a Kalvoda $b L. $1 702 1 $4 340 $a Čapek $b J. $1 702 1 $4 340 $a Trojan $b K. $1 702 1 $4 340 $a Kolenko $b P. 610 $a nitrides 610 $a quantum wells 610 $a luminescence 610 $a semiconductor doping 700 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0373224 $a Slavická Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $9 RIV $u html: https://kiplwww.fjfi.cvut.cz/drupal7/sites/default/files/Sbornik_SSCSSPM8_2018_FinalPublished_compressed.pdf
Počet záznamů: 1