Počet záznamů: 1
Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications
SYS 0496205 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103220852.0 017 $2 DOI 100 $a 20181109d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a PL 200 1-
$a Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0496159 $1 200 1 $a Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 $v S. 256-256 $1 210 $c University of Warsaw $d 2018 610 $a InGaN/GaN 610 $a MQW structure 610 $a scintillator 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $i Dielektrika $j Dielectrics $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0367351 $a Vaněk $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0255746 $a Jarý $b Vítězslav $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1