Počet záznamů: 1
Influence of Different InGaN/(In)GaN Growth Modes on Indium Incorporation and Quality of Layers
SYS 0496190 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103220850.6 017 $2 DOI 100 $a 20181109d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a PL 200 1-
$a Influence of Different InGaN/(In)GaN Growth Modes on Indium Incorporation and Quality of Layers 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0496159 $1 200 1 $a Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 $v S. 155-155 $1 210 $c University of Warsaw $d 2018 610 $a InGaN 610 $a QW capping 610 $a MOVPE 700 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1