Počet záznamů: 1
MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure
SYS 0479290 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103214645.9 017 $2 DOI 100 $a 20171011d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a FR 200 1-
$a MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure 215 $a 4 s. $c E 300 $a Do RIV jako O 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0479298 $1 200 1 $a EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy $v S. 114-117 $1 210 $a Grenoble $d 2017 $1 702 1 $a Eymery $b J. $4 340 610 $a MOVPE 610 $a nitrides 610 $a scintillator 610 $a quantum well 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0294089 $a Hývl $b Matěj $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $p FZU-D $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=215&ref=193
Počet záznamů: 1