Počet záznamů: 1  

Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications

  1. SYS0477154
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103214408.5
    014
      
    $a 85014633065 $2 SCOPUS
    014
      
    $a 000394537200042 $2 WOS
    017
    70
    $a 10.1117/12.2244786 $2 DOI
    100
      
    $a 20170818d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    215
      
    $a 4 s. $c P
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0477153 $1 010 $a 978-151060513-8 $1 011 $a 0277-786X $1 200 1 $a Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems $v S. 1-15 $1 210 $a Bellingham $c SPIE $d 2017 $1 225 $a Proceedings of SPIE $v 10036 $1 702 1 $4 340 $a du Plessis $b M.
    608
      
    $a Proceedings Paper
    610
      
    $a gallium nitride
    610
      
    $a indium gallium nitride
    610
      
    $a quantum wells
    610
      
    $a scintillators
    610
      
    $a sensors
    610
      
    $a luminescence
    610
      
    $a excitons
    610
      
    $a scintillation
    610
      
    $a radiation
    610
      
    $a resistance
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100408 $a Nikl $b Martin $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100427 $a Pacherová $b Oliva $i Materiálová analýza $j Material Analysis $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0279817 $a Brůža $b P. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0231804 $a Pánek $b D. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0014324 $a Blažek $b K. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0342732 $a Ledoux $b G. $y FR
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0039878 $a Dujardin $b C. $y FR
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0308301 $a Heuken $b M. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.