Počet záznamů: 1

GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE

SYS		0471296
LBL		01000a^^22220027750^450
005		20240103213635.9
017		$2 DOI
100		$a 20161011d m y slo 03 ba
101		$a eng
102		$a DE
200	1-	$a GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE
215		$a 1 s. $c P
463	-1	$1 200 1 $a GCCCG-1/DKT2016 $v S. 40 $1 210 $a Dresden $c TU Dresden $d 2016
610		$a GaP/Si
610		$a MOVPE
610		$a heterointerface
700	-1	$3 cav_un_auth*0307556 $a Supplie $b O. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0307557 $a Brückner $b S. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0313331 $a May $b M.M. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0307558 $a Kleinschmidt $b P. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0320163 $a Nägelein $b A. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0323411 $a Paszuk $b A. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0100644 $a Romanyuk $b Olexandr $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
701	-1	$3 cav_un_auth*0246886 $a Grosse $b F. $y DE
701	-1	$3 cav_un_auth*0295513 $a Hannappel $b T. $y DE

Počet záznamů: 1