Počet záznamů: 1
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
SYS 0464495 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103212833.5 017 $2 DOI 100 $a 20161027d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a ZA 200 1-
$a Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications 215 $a 1 s. $c E 300 $a říjen 2019 výmaz O z RIV, je konf. přísp. 463 -1
$1 200 1 $a SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./.Abstracts $v S. 62-62 $1 210 $a Skukuza $c SPIE $d 2016 $1 702 1 $4 340 $a Schutte $b C. 610 $a InGaN/GaN QWs 610 $a yellow luminescence 610 $a photoluminescence 610 $a x-ray diffraction 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100408 $a Nikl $b Martin $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100427 $a Pacherová $b Oliva $p FZU-D $i Materiálová analýza $j Material Analysis $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0308300 $a Foltynski $b B. $y DE 701 -1
$3 cav_un_auth*0279817 $a Brůža $b P. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0231804 $a Pánek $b D. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0100133 $a Beitlerová $b Alena $p FZU-D $i Optické materiály $j Optical Materials $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334537 $a Oeztuerk $b M. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0308301 $a Heuken $b M. $y DE 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1