Počet záznamů: 1  

Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures

  1. SYS0463746
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103212732.5
    017
      
    $2 DOI
    100
      
    $a 20161011d m y slo 03 ba
    101
      
    $a eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures
    215
      
    $a 1 s. $c P
    463
    -1
    $1 200 1 $a GCCCG-1/DKT2016 $v S. 38 $1 210 $a Dresden $c TU Dresden $d 2016
    610
      
    $a MOVPE
    610
      
    $a InAs quantum dot
    610
      
    $a GaAsSb SRL
    610
      
    $a GaInN quantum well
    610
      
    $a GaN
    610
      
    $a GaAs
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0073396 $a Walachová $b J. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0098917 $a Vaniš $b J. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0216181 $a Křápek $b V. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0037178 $a Humlíček $b J. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100408 $a Nikl $b Martin $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100427 $a Pacherová $b Oliva $i Materiálová analýza $j Material Analysis $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0279817 $a Brůža $b P. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0231804 $a Pánek $b D. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0308300 $a Foltynski $b B. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0334537 $a Oeztuerk $b M. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0308301 $a Heuken $b M. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.