Počet záznamů: 1  

InGaN/GaN MQWs for scintillators perspectives and problems

  1. SYS0463677
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103212727.3
    017
      
    $2 DOI
    100
      
    $a 20161011d m y slo 03 ba
    101
      
    $a eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a InGaN/GaN MQWs for scintillators perspectives and problems
    215
      
    $a 1 s. $c P
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0463679 $1 200 1 $a GCCCG-1/DKT2016 $v S. 101 $1 210 $a Dresden $c TU Dresden $d 2016
    610
      
    $a MOVPE
    610
      
    $a GaInN multiple quantum well
    610
      
    $a GaN
    610
      
    $a scintillator
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.