Počet záznamů: 1
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
SYS 0543533 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103225945.8 014 $a 85109215033 $2 SCOPUS 014 $a 000661636300001 $2 WOS 017 70
$a 10.1088/1361-6641/abfe9b $2 DOI 100 $a 20210629d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a GB 200 1-
$a Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design 215 $a 9 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257590 $1 011 $a 0268-1242 $e 1361-6641 $1 200 1 $a Semiconductor Science and Technology $v Roč. 36, č. 7 (2021) $1 210 $c Institute of Physics Publishing 608 $a Article 610 $a HEMT 610 $a GaN 610 $a metalorganic vapor phase epitaxy 700 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0397404 $a Gedeonová $b Zuzana $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 856 $u http://hdl.handle.net/11104/0320728 $9 RIV
Počet záznamů: 1