Počet záznamů: 1
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD
SYS 0484348 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103215318.0 014 $a 85014381997 $2 SCOPUS 014 $a 000415123000002 $2 WOS 017 70
$a 10.1088/2053-1591/aa598e $2 DOI 100 $a 20180109d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a GB 200 1-
$a GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD 215 $a 8 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0427381 $1 011 $e 2053-1591 $1 200 1 $a Materials Research Express $v Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8 $1 210 $c Institute of Physics Publishing 608 $a Article 610 $a GaAsSb 610 $a InAs 610 $a InGaAs 610 $a quantum dot 610 $a solar cells 610 $a MOVPE 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100449 $a Petříček $b Otto $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1