Počet záznamů: 1  

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur

  1. SYS0448576
    LBL
      
    02628^^^^^2200445^^^450
    005
      
    20240103210836.6
    014
      
    $a 000354103400018 $2 WOS
    014
      
    $a 84928898748 $2 SCOPUS
    017
    70
    $a 10.1134/S1063782615050036 $2 DOI
    100
      
    $a 20151015d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a RU
    200
    1-
    $a Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur
    215
      
    $a 9 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0255036 $1 011 $a 1063-7826 $e 1090-6479 $1 200 1 $a Semiconductors $v Roč. 49, č. 5 (2015), 649-657
    610
    0-
    $a electron spin resonance
    610
    0-
    $a 6H-SiC nanostructures
    610
    0-
    $a silicon vacancy related centers
    610
    0-
    $a NV centers
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0310181 $a Bagraev $b N.T. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0320629 $a Danilovskii $b E.Yu. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0310182 $a Gets $b D.S. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0288155 $a Kalabukhova $b E.N. $y UA $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0310183 $a Klyachkin $b L.E. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0320630 $a Koudryavtsev $b A.A. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0310184 $a Malyarenko $b A.M. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0310185 $a Mashkov $b V.A. $y RU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0288154 $a Savchenko $b Dariia $i Analýza funkčních materiálů $j Analysis of Functional Materials $p FZU-D $w Fabrication and Analysis of Functional Materials $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0288157 $a Shanina $b B.D. $y UA $4 070
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.