Počet záznamů: 1  

Evaluation of defect concentration in doped SWCNT

  1. SYS0353077
    LBL
      
    01911^^^^^2200325^^^450
    005
      
    20240103194509.0
    014
      
    $a 000285798400039 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1002/pssb.201000180 $2 DOI
    100
      
    $a 20110103d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a Evaluation of defect concentration in doped SWCNT
    215
      
    $a 4 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0257422 $1 011 $a 0370-1972 $e 1521-3951 $1 200 1 $a Physica Status Solidi B $e Basic Solid State Physics $v Roč. 247, 11-12 (2010), s. 2797-2800 $1 210 $c Wiley
    610
    0-
    $a defects
    610
    0-
    $a Raman spectroscopy
    610
    0-
    $a spectroelectrochemistry
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0102823 $a Kalbáč $b Martin $i Odd. nízkodimenzionálních systémů $j Dept. of Low-dimensional Systems $p UFCH-W $w Low-dimensional Systems $4 070 $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0102829 $a Kavan $b Ladislav $i Odd. elektrochemických materiálů $j Dept. of Electrochemical Materials $p UFCH-W $w Electrochemical Materials $4 070 $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.