Počet záznamů: 1
Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons
SYS 0352508 LBL 01582^^^^^2200277^^^450 005 20240103194432.8 100 $a 20101221d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng $d eng 102 $a JP 200 1-
$a Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0352507 $1 010 $a 978-4-9903248-2-7 $1 200 1 $a Proceedings of 5th Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology $v S. 15-18 $1 210 $a Toyama $c University of Toyama $d 2010 610 0-
$a semiconductors 610 0-
$a dopant contrast 610 0-
$a very low energy SEM 700 -1
$3 cav_un_auth*0052204 $a Hovorka $b Miloš $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1