Počet záznamů: 1
Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
SYS 0349319 LBL 01628^^^^^2200325^^^450 005 20240103194106.4 100 $a 20101110d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a SK 200 1-
$a Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0349318 $1 010 $a 978-80-223-2723-7 $1 200 1 $a SURFINT-SREN II $v S. 19-22 $1 210 $a Bratislava $c Comenius University $d 2010 $1 702 1 $a Brunner $b R. $4 340 610 0-
$a SI-GaAs 610 0-
$a X-ray detectors 610 0-
$a charge transport 610 0-
$a metallization 700 -1
$3 cav_un_auth*0045015 $a Dubecký $b F. $y SK $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0017851 $a Gombia $b E. $y IT $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0200223 $a Zat'ko $b B. $y SK $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100287 $a Kindl $b Dobroslav $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0265470 $a Dubecký $b M. $y SK $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0039252 $a Boháček $b P. $y SK $4 070
Počet záznamů: 1