Počet záznamů: 1
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
SYS 0342440 LBL 02327^^^^^2200385^^^450 005 20240103193438.0 014 $a 000277039100069 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.057 $2 DOI 100 $a 20100426d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 312, č. 8 (2010), 1383-1387 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a low dimensional structures 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a low-pressure MOVPE 610 0-
$a InAs/GaAs quantum dots 610 0-
$a semiconducting III/V materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0254173 $a Caha $b O. $y CZ $4 070
Počet záznamů: 1