Počet záznamů: 1
Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy
SYS 0342088 LBL 02252^^^^^2200337^^^450 005 20240103193419.3 014 $a 000274979000012 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.susc.2009.11.023 $2 DOI 100 $a 20100412d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257631 $1 011 $a 0039-6028 $e 1879-2758 $1 200 1 $a Surface Science $v Roč. 604, 3-4 (2010), 318-321 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a low-pressure Metal–Organic Vapor Phase 610 0-
$a InAs/GaAs quantum dots 610 0-
$a reflectance anisotropy spectroscopy Surface reconstruction 610 0-
$a surface reconstruction 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1