Počet záznamů: 1  

LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures

  1. SYS0341444
    LBL
      
    01802^^^^^2200313^^^450
    005
      
    20240103193339.8
    014
      
    $a 000272777100024 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1016/j.mseb.2009.03.004 $2 DOI
    100
      
    $a 20100319d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a CH
    200
    1-
    $a LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
    215
      
    $a 4 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0257217 $1 011 $a 0921-5107 $e 1873-4944 $1 200 1 $a Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials $v Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97 $1 210 $c Elsevier
    610
    0-
    $a semiconductor technology
    610
    0-
    $a rare earth elements
    610
    0-
    $a III-V semiconductors
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0101663 $a Grym $b Jan $i 003 $j Technology of Materials for Electronics and Optoelectronics $p URE-Y $w Synthesis and characterization of nanomaterials $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101728 $a Procházková $b Olga $i 003 $j Technology of Materials for Electronics and Optoelectronics $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101767 $a Zavadil $b Jiří $i 004 $j Diagnostics of Materials for Electronics and Optoelectronics $p URE-Y $w Synthesis and characterization of nanomaterials $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101770 $a Žďánský $b Karel $i 004 $j Diagnostics of Materials for Electronics and Optoelectronics $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.