Počet záznamů: 1
Profiling N-Type Dopants in Silicon
SYS 0340745 LBL 01976^^^^^2200337^^^450 005 20240103193257.7 014 $a 000276538900008 $2 WOS 014 $a 77949763595 $2 SCOPUS 017 7-
$a 10.2320/matertrans.MC200910 $2 DOI 100 $a 20100319d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng $d eng 102 $a JP 200 1-
$a Profiling N-Type Dopants in Silicon 215 $a 6 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0255972 $1 011 $a 1345-9678 $e 1347-5320 $1 200 1 $a Materials Transactions $v Roč. 51, č. 2 (2010), s. 237-242 $1 210 $c Japan Institute of Metals and Materials 610 0-
$a silicon 610 0-
$a dopant contrast 610 0-
$a photoemission electron microscopy 610 0-
$a scanning electron microscopy 700 -1
$3 cav_un_auth*0052204 $a Hovorka $b Miloš $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101596 $a Mika $b Filip $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0016438 $a Mikulík $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. 856 $u http://www.jim.or.jp/journal/e/51/02/237.html
Počet záznamů: 1