Počet záznamů: 1
Etching enhanced annealing of GaMnAs layers
SYS 0337274 LBL 01408^^^^^2200349^^^450 005 20240103192912.2 014 $a 000265659300127 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2008.10.051 $2 DOI 100 $a 20100118d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Etching enhanced annealing of GaMnAs layers 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2151-2154 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Zvýšení účinnosti žíhaní GaMnAs pomocí leptání $z cze 610 0-
$a surface processes 610 0-
$a molecular beam epitaxy 610 0-
$a magnetic materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100643 $a Olejník $b Kamil $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100416 $a Novák $b Vít $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100166 $a Cukr $b Miroslav $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100375 $a Mašek $b Jan $i Teorie kondenzovaných látek $j Condensed Matter Theory $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100269 $a Jungwirth $b Tomáš $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1