Počet záznamů: 1
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping
SYS 0133068 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20230418210352.1 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping 215 $a 7 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256872 $1 011 $a 0021-8979 $e 1089-7550 $1 200 1 $a Journal of Applied Physics $v Roč. 88, č. 11 (2000), s. 6488-6494 $1 210 $c AIP Publishing 700 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100327 $a Krištofik $b Jozef $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100372 $a Mareš $b Jiří J. $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100369 $a Malý $b Jan $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1