Počet záznamů: 1  

Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor

  1. SYS0109047
    LBL
      
    02654^^^^^2200265^^^450
    005
      
    20200403113533.4
    100
      
    $a 20050511d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a CZ
    200
    1-
    $a Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor
    215
      
    $a 2 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0033320 $1 010 $a 80-239-3246-2 $1 200 1 $a Proceedings of the 9th International Seminar Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation $v s. 51-52 $1 210 $a Brno $c Institute of Scientific Instruments AS CR $d 2004 $1 702 1 $a Müllerová $b I. $4 340
    541
    1-
    $a Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM $z cze
    610
    0-
    $a low energy SEM
    610
    0-
    $a doped semiconductor
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0101596 $a Mika $b Filip $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.