Počet záznamů: 1  

Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications

  1. 1.
    Hospodková, A., Hubáček, T., Zíková, M., Dominec, F., Oswald, J., Kuldová, K., Hájek, F., Vaněk, T., Jarý, V. Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications. In: Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018, s. 256-256.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.