Počet záznamů: 1
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping
- 1.Hubík, P., Krištofik, J., Mareš, J. J., Malý, J., Hulicius, E., Pangrác, J. Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping. Journal of Applied Physics. 2000, 88(11), 6488-6494. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550.
Počet záznamů: 1