Počet záznamů: 1  

Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications

  1. 1.
    HOSPODKOVÁ, A., HUBÁČEK, T., ZÍKOVÁ, M., DOMINEC, F., OSWALD, J., KULDOVÁ, K., HÁJEK, F., VANĚK, T., JARÝ, V. Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications. In: Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018, s. 256-256.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.