Počet záznamů: 1
Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth
SYS 0496211 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103220852.6 017 $2 DOI 100 $a 20181109d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a PL 200 1-
$a Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0496159 $1 200 1 $a Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 $v S. 153-153 $1 210 $c University of Warsaw $d 2018 610 $a InGaN/GaN 610 $a QW 610 $a Buffer layer 700 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $i Dielektrika $j Dielectrics $p FZU-D $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1