Počet záznamů: 1
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
- 1.
SYSNO 0477154 Název Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Brůža, P. (CZ)
Pánek, D. (CZ)
Blažek, K. (CZ)
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)
Heuken, M. (DE)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. S. 1-15. - Bellingham : SPIE, 2017 / du Plessis M. Konference South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./, 18.09.2016 - 20.09.2016, Skukuza Číslo článku 1003617 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CZ.2.16/3.1.00/24510, XE - země EU LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR 690599, XE - země EU Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova gallium nitride * indium gallium nitride * quantum wells * scintillators * sensors * luminescence * excitons * scintillation * radiation * resistance Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0273529 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0477154.pdf 6 459.7 KB Jiná povolen
Počet záznamů: 1