Počet záznamů: 1
Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains
- 1.
SYSNO ASEP 0434717 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains Tvůrce(i) Čermák, Jan (FZU-D) RID, SAI, ORCID
Yamada, T. (JP)
Ganzerová, Kristína (FZU-D) RID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. NANOCON 2014 Conference Proceedings. - Ostrava : Tanger Ltd, 2015 / Shrbená J. - ISBN 978-80-87294-53-6 Poč.str. 6 s. Forma vydání Nosič - C Akce International Conference NANOCON /6./ Datum konání 05.11.2014-07.11.2014 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova graphene ; chemical vapor deposition ; atomic force microscopy ; Raman spectroscopy ; electronic properties Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000350636300128 EID SCOPUS 85005965375 Anotace We study graphene grown across the boundary of three such grains having bright, medium, and dark color in reflection. Raman micro-spectroscopy proves presence of mostly a monoor bi-layer graphene on all the grains. Yet intensity of Raman 2D band is grain-dependent: highest at the darkest grain and lowest at the brightest one. Contrary, conductive atomic force microscopy detects the highest conductivity at the brightest grain and the lowest current at the darkest grain. This is attributed to dominant electrical current path through graphene and underlying oxide thickness of which also depends on the type of copper grain. We correlate and discuss the results with view to better understanding of graphene growth and electronic properties on large area copper substrates. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1