Počet záznamů: 1
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium
- 1.
SYSNO 0105579 Název Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium Překlad názvu Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů Tvůrce(i) Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Hnatowicz, Vladimír (UJF-V) RID
Prajzler, V. (CZ)
Machovič, V. (CZ)
Matějka, P. (CZ)
Schröfel, J. (CZ)Zdroj.dok. Surface and Interface Analysis. Roč. 36, č. 8 (2004), s. 952-954. - : Wiley Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA104/03/0387 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1048901 - UJF-V Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova Er-doped GaN * luminescence * magnetron sputtering Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0012816
Počet záznamů: 1