0105579 - UJF-V 20043121 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Peřina, Vratislav - Macková, Anna - Hnatowicz, Vladimír - Prajzler, V. - Machovič, V. - Matějka, P. - Schröfel, J.
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium.
[Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů.]
Surface and Interface Analysis. Roč. 36, č. 8 (2004), s. 952-954. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA ČR GA104/03/0387
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
Klíčová slova: Er-doped GaN * luminescence * magnetron sputtering
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.209, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0012816