- Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors d…
Počet záznamů: 1  

Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium

  1. 1.
    PEŘINA, V., MACKOVÁ, A., HNATOWICZ, V., PRAJZLER, V., MACHOVIČ, V., MATĚJKA, P., SCHRÖFEL, J. Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium. Surface and Interface Analysis. 2004, 36(8), 952-954. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.