Počet záznamů: 1
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium
- 1.PEŘINA, V., MACKOVÁ, A., HNATOWICZ, V., PRAJZLER, V., MACHOVIČ, V., MATĚJKA, P., SCHRÖFEL, J. Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium. Surface and Interface Analysis. 2004, 36(8), 952-954. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918.
Počet záznamů: 1