Tuning of MoS.sub.2./sub. Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr

Sahu, Satyam; Volochanskyi, Oleksandr; Varade, V.; Pirker, Luka; Zólyomi, V.; Koltai, J.; Mosina, K.; Sofer, Z.; Frank, Otakar; Vejpravová, J.; Kalbáč, Martin; Velický, Matěj

doi:https://dx.doi.org/10.1021/acsami.5c01924

Počet záznamů: 1

Tuning of MoS.sub.2./sub. Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr

1.

SYSNO ASEP	0619388
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Tuning of MoS₂ Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr
Tvůrce(i)	Sahu, Satyam (UFCH-W) Volochanskyi, Oleksandr (UFCH-W)_{ORCID, SAI, RID} Varade, V. (CZ) Pirker, Luka (UFCH-W)_{ORCID, RID} Zólyomi, V. (GB) Koltai, J. (HU) Mosina, K. (CZ) Sofer, Z. (CZ) Frank, Otakar (UFCH-W)_{RID, ORCID} Vejpravová, J. (CZ) Kalbáč, Martin (UFCH-W)_{RID, ORCID} Velický, Matěj (UFCH-W)_{ORCID, RID, SAI}
Zdroj.dok.	ACS Applied Materials and Interfaces. - : American Chemical Society - ISSN 1944-8244 Roč. 17, č. 17 (2025), s. 25693-25701
Poč.str.	9 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	monolayer mos2 ; generation ; exciton ; MoS2 ; CrSBr ; heterostructures ; photoluminescence ; enhancement ; quenching ; optoelectronics
Vědní obor RIV	CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Obor OECD	Physical chemistry
CEP	GA22-04408S GA ČR - Grantová agentura ČR
	GX20-08633X GA ČR - Grantová agentura ČR
	EH22_008/0004558 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Způsob publikování	Open access
Institucionální podpora	UFCH-W - RVO:61388955
UT WOS	001468413600001
EID SCOPUS	105003295951
DOI	https://doi.org/10.1021/acsami.5c01924
Anotace	Monolayers of semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDCs) are known for their unique excitonic photoluminescence (PL), which can be tuned by interfacing them with other materials. However, integrating TMDCs into van der Waals heterostructures often results in a significant quenching of the PL because of an increased rate of nonradiative recombination processes. We demonstrate a wide-range tuning of the PL intensity of monolayer MoS2 interfaced with another layered semiconductor, CrSBr. We discover that a thin CrSBr up to approximate to 20 nm in thickness enhances the PL of MoS2, while a thicker material causes PL quenching, which is associated with changes in the excitonic makeup driven by the charge redistribution in the CrSBr/MoS2 heterostructure. Transport measurements, Kelvin probe force microscopy, and first-principles calculations indicate that this charge redistribution most likely causes n- to p-type doping transition of MoS2 upon contact with CrSBr, facilitated by the type II band alignment and the tendency of CrSBr to act as an electron sink. Furthermore, we fabricate an efficient AC-regime photodetector with a responsivity of 10(5) A/W from a MoS2/CrSBr heterostructure.
Pracoviště	Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského
Kontakt	Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196
Rok sběru	2026
Elektronická adresa	https://hdl.handle.net/11104/0366123

Počet záznamů: 1