- Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on gla…
Počet záznamů: 1  

Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates

  1. 1.
    SYSNO ASEP0577936
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevUltrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates
    Tvůrce(i) Cheng, Y. (RU)
    Bulgakov, Alexander V. (FZU-D) ORCID
    Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCID, RID
    Beránek, Jiří (FZU-D)
    Zukerstein, Martin (FZU-D) ORCID
    Milekhin, I.A. (RU)
    Popov, A. A. (RU)
    Volodin, V.A. (RU)
    Celkový počet autorů8
    Číslo článku2048
    Zdroj.dok.Micromachines. - : MDPI - ISSN 2072-666X
    Roč. 14, č. 11 (2023)
    Poč.str.14 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovagermanium ; thin films ; ultrashort infrared laser annealing ; crystallization ; Raman spectroscopy ; nonrefractory substrates
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDOptics (including laser optics and quantum optics)
    CEPEF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS001113669700001
    EID SCOPUS85178109648
    DOI https://doi.org/10.3390/mi14112048
    AnotaceAmorphous germanium films on nonrefractory glass substrates were annealed by ultrashort near-infrared (1030 nm, 1.4 ps) and mid-infrared (1500 nm, 70 fs) laser pulses. Crystallization of germanium irradiated at a laser energy density (fluence) range from 25 to 400 mJ/cm2 under single-shot and multishot conditions was investigated using Raman spectroscopy. The dependence of the fraction of the crystalline phase on the fluence was obtained for picosecond and femtosecond laser annealing. The regimes of almost complete crystallization of germanium films over the entire thickness were obtained (from the analysis of Raman spectra with excitation of 785 nm laser). The possibility of scanning laser processing is shown, which can be used to create films of micro- and nanocrystalline germanium on flexible substrates.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2024
    Elektronická adresahttps://hdl.handle.net/11104/0347013
Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.