Počet záznamů: 1
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers
- 1.Hospodková, A., Čížek, J., Hájek, F., Hubáček, T., Pangrác, J., Dominec, F., Kuldová, K., Batysta, J., Liedke, M.O., Hirschmann, E., Butterling, M., Wagner, A. Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers. Materials. 2022, 15(19), 6916. ISSN 1996-1944. E-ISSN 1996-1944. Dostupné z: https://doi.org/10.3390/ma15196916.
Počet záznamů: 1