- Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditio…
Počet záznamů: 1  

Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers

  1. 1.
    Hospodková, A., Čížek, J., Hájek, F., Hubáček, T., Pangrác, J., Dominec, F., Kuldová, K., Batysta, J., Liedke, M.O., Hirschmann, E., Butterling, M., Wagner, A. Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers. Materials. 2022, 15(19), 6916. ISSN 1996-1944. E-ISSN 1996-1944. Dostupné z: https://doi.org/10.3390/ma15196916.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.