Počet záznamů: 1
Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru
- 1.
SYSNO ASEP 0560200 Druh ASEP O - Ostatní výsledky Zařazení RIV O - Ostatní Název Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru Překlad názvu Simulation of gas flow and sample temperature distribution in the micro-reactor device Tvůrce(i) Neděla, Vilém (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Maxa, Jiří (UPT-D)
Šabacká, Pavla (UPT-D)
Novák, L. (CZ)Rok vydání 2021 Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova simulation ; gas flow ; distribution of temperature ; micro-reactor Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP TN01000008 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Na základě první série analýz byly provedeny další analýzy, které prokázaly velký vliv fyzikálních vlastností zkoumaného vzorku. U hodnot tepelné vodivosti dosahující 400 V/m.K, dochází ke spolehlivému prohřátí vzorku charakteru krychle po celém objemu i přes nedokonalé spojení styčné plochy vzorku s chipem pro ohřev. Naopak u nízkých hodnot v řádu jednotek V/m.K, nejen že vzorek není prohřátý v celém objemu, a horní část je chladnější, ale při nedokonalém spojení styčné plochy s chipem může dosahovat rozdíl mezi spodní a horní částí až 100 °C. Překlad anotace NEDĚLA, V., MAXA, J., ŠABACKÁ, P., NOVÁK, L. Simulace proudění plynů a distribuce teploty v mikro-reaktoru. Brno : Ústav přístrojové techniky AV ČR, 2021. Based on the first series of analyses, further analyses were performed which showed a large influence of the physical properties of the sample under study. For thermal conductivity values reaching 400 V/m.K, there is a reliable heating of the cube-like sample over the entire volume despite the imperfect connection of the sample contact surface with the heating chip. Conversely, at low values in the order of units of V/m.K, not only is the sample not heated throughout the volume, and the upper part is cooler, but the difference between the lower and upper parts can be as much as 100 °C if the contact surface with the chip is imperfect. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2023
Počet záznamů: 1