Počet záznamů: 1  

Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties

  1. 1.
    SYSNO ASEP0556566
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevHighly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties
    Tvůrce(i) Lambert, Nicolas (FZU-D) ORCID, RID
    Weiss, Zdeněk (FZU-D) ORCID
    Klimša, Ladislav (FZU-D) ORCID
    Kopeček, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
    Gedeonová, Zuzana (FZU-D) ORCID
    Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
    Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů7
    Číslo článku108964
    Zdroj.dok.Diamond and Related Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-9635
    Roč. 125, May (2022)
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovadiamond growth ; polycrystalline diamond ; phosphorus doping ; pulsed gas ; microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGA21-03538S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Výzkumná infrastrukturaCzechNanoLab - 90110 - Vysoké učení technické v Brně
    Způsob publikováníOmezený přístup
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000790962500005
    EID SCOPUS85126623362
    DOI10.1016/j.diamond.2022.108964
    AnotaceIn this work, phosphorus-doped polycrystalline diamond layers were grown using a new gas control process to increase the incorporation of phosphorus in diamond. Topographical characteristics and crystalline quality of the phosphorus-doped polycrystalline diamond layers grown on Si substrates were analyzed using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. The phosphorus concentration was determined using Glow-Discharge Optical Emission Spectroscopy (GDOES). Polycrystalline diamond layers have a good crystalline quality with a sp3/sp2 carbon ration over 75%. The growth rate reaches up to 440 nm∙h−1, and the phosphorus concentration is well above 1020 cm−3.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2023
    Elektronická adresahttps://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108964
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.